特許
J-GLOBAL ID：200903039989975519
プラズマ発生加工方法およびその装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-080136
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064585
出願日： 1995年04月05日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：
【要約】【目的】 プラズマ中のイオンによるドライエッチングを精度良く行なえるようにする。【構成】 真空チャンバ81内にガスコントローラ82より反応性ガスを導入してプラズマ発生領域にプラズマを発生させた後、真空チャンバ81内の試料台85に高周波電源87より高周波電力を印加してプラズマ中のイオンを試料台85に入射させることにより、試料台85上の試料に対してドライエッチングを行なう。主エッチング時には、(反応性ガスのガス圧)/(高周波電力の周波数)の値を小さくしてシース領域においてイオンが中性粒子に衝突して散乱する確率である散乱確率を小さくすることにより、イオン束のエネルギーを大きくすると共にイオン束の入射方向を試料台85に対して垂直な方向に揃える。オーバーエッチング時には、(反応性ガスのガス圧)/(高周波電力の周波数)の値を大きくして前記散乱確率を大きくすることにより、イオン束のエネルギーを小さくすると共にイオン束の入射方向を乱れさせる。
請求項（抜粋）：
真空チャンバ内に反応性ガスを導入してプラズマ発生領域にプラズマを発生させるプラズマ発生工程と、前記真空チャンバ内の試料台に高周波電力を印加して前記プラズマ中のイオンを前記試料台に入射させることにより、前記イオンに前記試料台上の試料に対して加工を行なわせるプラズマ加工工程とを備えたプラズマ発生加工方法であって、前記プラズマ加工工程において、(反応性ガスのガス圧)/(高周波電力の周波数)の値を変化させることにより、前記試料台側のシース領域において前記イオンが中性粒子に衝突して散乱する確率である散乱確率を変化させ、これにより、前記試料台に入射するイオン束のエネルギー及び該イオン束の入射方向を変化させることを特徴とするプラズマ発生加工方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/31
, H05H 1/46
H01L 21/302 C
, H01L 21/302 E
