半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-069516
公開番号（公開出願番号）：特開平11-328988
出願日： 1999年03月16日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【目的】広範囲な電源電圧で作動し且つ安定なデータ検出が可能な半導体記憶装置を提供する。【解決手段】ビット線の寄生容量に対応する寄生容量を有するダミービット線の電位を検出する電位検出手段と、各ビット線に対応して配設され、プリチャージ信号に応答し、対応する各ビット線を夫々にプリチャージすると共に、電位検出手段の検出に応答してプリチャージを停止する複数の第2のプリチャージ手段とを備えることを特徴とする半導体記憶装置。

請求項（抜粋）：

夫々に複数のメモリセルが接続される複数のビット線と、該各ビット線に対応して配設されプリチャージ信号に応答し対応する前記各ビット線を夫々第1の電位にプリチャージする複数の第1のプリチャージ手段とを備える半導体記憶装置において、前記各ビット線に対応して配設され、前記プリチャージ信号に応答し対応する前記各ビット線を夫々第2の電位にプリチャージする複数の第2のプリチャージ手段とを備えることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 16/06 , G11C 16/04

FI (2件)：

G11C 17/00 634 B , G11C 17/00 624

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-229171 出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-309615 出願人：シャープ株式会社
EPROMモジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-325371 出願人：株式会社日立製作所

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