特許
J-GLOBAL ID：200903076847864313
薄膜形成方法および薄膜形成装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田宮 寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-323196
公開番号（公開出願番号）：特開平7-153704
出願日： 1993年11月29日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：
【要約】【目的】 化学的気相成長法による薄膜形成において、生産性を高め、良好でかつ安定した成膜分布および膜抵抗の再現性を得る。【構成】 複数の基板3を少なくとも1枚ごと反応室1に導入し、この基板に反応ガスを導入し、基板の上に化学的気相成長法により薄膜を堆積させて基板処理を行い、導入された基板ごとに基板処理を繰り返す薄膜形成方法であり、繰り返される基板処理の間の非基板処理時に、例えば基板固定具6に堆積した薄膜の表面を不働態にする不働態化ガスを反応室1に導入する。不働態化ガスは、例えば吸着性ガスで、具体的に、不活性ガスと0.1〜10%のNH3 からなる混合ガス、または不活性ガスと0.1〜10%のSi H2 Cl2 からなる混合ガスである。不働態化ガスとして酸化性ガスを用いることもできる。
請求項（抜粋）：
複数の基板を単位枚数ごと反応室に導入し、導入された前記基板に対して前記反応室に反応ガスを導入し、前記基板の上に化学的気相成長法により薄膜を堆積させて基板処理を行い、導入された基板ごとに前記基板処理を繰り返す薄膜形成方法であり、繰り返される前記基板処理の間の非基板処理時に、前記基板の周辺部材に堆積した前記薄膜の表面を不働態にする不働態化ガスを前記反応室に導入することを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/44
, C23C 16/54
