特許

J-GLOBAL ID：200903076861702695

フォトマスクパターン設計方法および設計システム

発明者： 寺澤 恒男 ,  長谷川 昇雄 ,  茂庭 明美 ,  岡崎 信次
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-219786
公開番号（公開出願番号）：特開平8-082915
出願日： 1994年09月14日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、フォトマスクを用いて所望の形状の投影像光強度分布を得るために、パターン形状の修正や新たなパターンの付与を自動的に行なうパターン設計方法および設計システムを提供することにある。【構成】 初期値として入力されたパターンの投影像光強度分布を求める投影像計算工程2、投影像と所望の形状を比較する工程4、および不要の投影像ができる部分にパターンを付加する工程5を設けてマスクパターンの最適化を行なう。

請求項（抜粋）：

投影光学系を介してパターン転写を行なうために使用するフォトマスクのパターン設計方法であって、所望の形状を有する第1のフォトマスクパターンを初期値として与えるパターン入力工程と、前記投影光学系の光学条件を表わすパラメータを入力する光学パラメータ入力工程と、前記投影光学系で得られる前記第1のフォトマスクパターンの投影像光強度分布を計算する投影像演算工程と、前記投影像演算工程で得られる結果を前記の初期値として与えられた前記第1のフォトマスクパターンと比較する比較工程と、前記比較工程で比較した結果が予め指定した許容値より大きい部分に対しては新たな第2のフォトマスクパターンを付与する補正パターン発生工程とを含むことを特徴とするフォトマスクパターン設計方法。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 502 G

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-107530
  
• ハーフトーン方式位相シフトマスク及びレジスト露光方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-194852   出願人：ソニー株式会社
• 減衰型位相シフトマスクおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-066934   出願人：三菱電機株式会社
• 露光マスク及び露光方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-034877   出願人：ソニー株式会社