特許

J-GLOBAL ID：200903076939482980

半導体装置

発明者： 石山 裕浩 ,  奥山 博昭
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-171976
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022402
出願日： 1996年07月02日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：

【要約】【課題】 メモリセルにデータの出し入れを行うビット線における各ビット線間の寄生容量を減少させ、カップリングノイズの影響による誤動作を防止することが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】 データの記憶を行うメモリセルと、このメモリセルへのデータの読み書きを行うビット線と、メモリセルの選択を行うワード線とを用いて構成される半導体装置において、隣り合うビット線がそれぞれ異なる配線層に配設された構成とする。

請求項（抜粋）：

データの記憶を行うメモリセルと、このメモリセルの制御を行うビット線とワード線とを用いて構成される半導体装置において、隣り合う前記ビット線がそれぞれ異なる配線層に配設されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/8244 ,  H01L 27/11 ,  H01L 27/10 491 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (4件)：

H01L 27/10 381 ,  H01L 27/10 491 ,  H01L 27/10 681 B ,  H01L 27/10 691

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-308371
  
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-336647   出願人：日本電気株式会社