特許
J-GLOBAL ID:200903076953084998
有機EL素子の製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
古谷 栄男 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-323041
公開番号(公開出願番号):特開2000-150149
出願日: 1998年11月13日
公開日(公表日): 2000年05月30日
要約:
【要約】【課題】 信頼性の高い有機EL素子の製造方法の提供。【解決手段】 真空中でガラス基板2上にITO透明電極11、有機層12、上部電極13を形成し、窒素雰囲気中でシールによって封止を行う。このように、真空中においてITO透明電極11、有機層12、上部電極13を形成し、外気に触れない状態で形成することができるため、ITO透明電極11に不純物が付着することを防止できる。
請求項(抜粋):
基板上にアノード電極を形成するステップ、アノード電極上に有機EL層を形成するステップ、有機EL層上にカソード電極を形成するステップ、を備えた有機EL素子の製造方法において、前記アノード電極を形成するステップ、前記有機EL層を形成するステップおよび前記カソード電極を形成するステップの全てを外気に触れない環境化で行う、ことを特徴とする有機EL素子の製造方法。
IPC (2件):
FI (2件):
H05B 33/10
, H05B 33/14 A
Fターム (8件):
3K007AB06
, 3K007AB11
, 3K007BA06
, 3K007CB01
, 3K007DA01
, 3K007DB03
, 3K007EB00
, 3K007FA01
引用特許: