特許
J-GLOBAL ID：200903076958088533

オーミック電極、オーミック電極の製造方法、電界効果型トランジスタ、電界効果型トランジスタの製造方法、および、半導体装置

発明者：
見田 充郎

見田 充郎 について

, 
海部 勝晶

海部 勝晶 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-236389
公開番号（公開出願番号）：特開2007-053185
出願日： 2005年08月17日
公開日（公表日）： 2007年03月01日
要約：
【課題】オーミック電極と電子走行層との間のコンタクト抵抗を、オーミック電極をヘテロ界面未満の深さに設けた場合よりも低減すること。【解決手段】基板16に形成されている第1の半導体層からなる電子走行層20と、電子走行層とヘテロ接合する第1の半導体層よりも電子親和力の小さい第2の半導体層を含む電子供給層22と、へテロ界面34近傍の電子走行層中に誘起されている2次元電子層36とを備えた構造体に設けられるオーミック電極62において、オーミック電極の、基板16の主面16a側の端部が、電子供給層を貫通してへテロ界面以上の深さの電子走行層中に配置されており、オーミック電極と電子走行層との間のコンタクト抵抗を、基板の主面側の端部66をヘテロ界面未満の深さに配置した場合よりも、減少させる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板の主面側に形成されている第1の半導体層からなる電子走行層と、 前記電子走行層とヘテロ界面においてヘテロ接合して、前記電子走行層上に形成された、前記第1の半導体層よりも電子親和力の小さい第2の半導体層を含む電子供給層と、 前記へテロ界面から前記電子走行層中にわたって誘起されている2次元電子ガスからなる2次元電子層と を備えた構造体に設けられるオーミック電極において、 該オーミック電極の前記主面側の一端部が、前記電子供給層の上面から該電子供給層を貫通して前記へテロ界面以上の深さであって、かつ、前記電子走行層を越えない深さに配置されており、および、 その場合の前記オーミック電極と前記電子走行層との間のコンタクト抵抗は、前記主面側の一端部を前記電子供給層の上面から前記ヘテロ界面より浅い深さに配置した場合よりも、低い値となっていることを特徴とするオーミック電極。
IPC (6件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/41
FI (5件)：
H01L29/80 F ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 J ,  H01L29/80 H ,  H01L29/44 S
Fターム (27件)：
4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD08 ,  4M104DD34 ,  4M104DD68 ,  4M104DD78 ,  4M104FF06 ,  4M104FF13 ,  4M104FF21 ,  4M104GG12 ,  4M104GG18 ,  4M104HH15 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102HC10
引用特許：
審査官引用 (4件)
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