GaN系電界効果トランジスタ

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-328873
公開番号（公開出願番号）：特開2004-165387
出願日： 2002年11月12日
公開日（公表日）： 2004年06月10日
要約：

【課題】動作時のオン抵抗が非常に小さく大電流動作が可能なGaN系電界効果トランジスタを実現する。【解決手段】ソース電極S、ゲート電極G、ドレイン電極D、ソース電極及びドレイン電極に接続するコンタクト層6、キャリアがドリフトする導電性のチャネル層3を有するGaN系電界効果トランジスタにおいて、チャネル層3をエッチングしたところに直接コンタクト層6を埋めこみ、コンタクト層6を構成する半導体のバンドギャップは、チャネル層3を構成する半導体のバンドギャップよりも小さくする。コンタクト層6を埋め込む部分のエッチングの深さはチャネル層をドリフトするキャリアが分布する位置よりも深くする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ソース電極、ゲート電極、ドレイン電極、前記ソース電極及び前記ドレイン電極に接続するGaN系半導体からなるコンタクト層、キャリアがドリフトする導電性のGaN系半導体からなるチャネル層を有するGaN系電界効果トランジスタにおいて、前記コンタクト層の導電型は前記キャリアの導電型と同一で、かつ、前記コンタクト層は前記チャネル層の一部がエッチングされた部分に埋め込まれていることを特徴とするGaN系電界効果トランジスタ。

IPC (6件)：

H01L21/338 , H01L21/28 , H01L29/41 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/812

FI (4件)：

H01L29/80 H , H01L21/28 301B , H01L29/78 301B , H01L29/44 L

Fターム (84件)：

4M104AA04 , 4M104AA07 , 4M104BB02 , 4M104BB03 , 4M104BB09 , 4M104BB19 , 4M104BB21 , 4M104BB22 , 4M104BB23 , 4M104BB24 , 4M104BB25 , 4M104BB26 , 4M104BB27 , 4M104BB28 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104CC05 , 4M104DD16 , 4M104DD34 , 4M104EE03 , 4M104EE14 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF03 , 4M104FF04 , 4M104FF21 , 4M104GG08 , 4M104GG09 , 4M104GG12 , 4M104GG18 , 4M104HH20 , 5F102FA02 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GJ05 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GL07 , 5F102GM04 , 5F102GM08 , 5F102GM10 , 5F102GQ01 , 5F102GR08 , 5F102GR09 , 5F102GT01 , 5F102HA20 , 5F102HC01 , 5F102HC15 , 5F140AA29 , 5F140AA30 , 5F140BA01 , 5F140BA02 , 5F140BA06 , 5F140BA07 , 5F140BA09 , 5F140BA10 , 5F140BA17 , 5F140BB15 , 5F140BC12 , 5F140BD04 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BD13 , 5F140BE07 , 5F140BE09 , 5F140BF01 , 5F140BF05 , 5F140BG30 , 5F140BJ04 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BJ18 , 5F140BJ25 , 5F140BJ28 , 5F140BK26

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-146563 出願人：ソニー株式会社
半導体デバイスおよび電極形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-121730 出願人：古河電気工業株式会社
特開昭55-138238

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