特許
J-GLOBAL ID：200903076958737388

半導体パワーモジュール

発明者：
山田 順治

山田 順治 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-364814
公開番号（公開出願番号）：特開2002-170923
出願日： 2000年11月30日
公開日（公表日）： 2002年06月14日
要約：
【要約】【課題】 現状の半導体パワーモジュールをそのまま使用することができ、電極端子に対する外部電極の位置決めを容易化して、組立作業の効率化を実現し得る半導体パワーモジュールを提供する。【解決手段】 ケース内部に樹脂封止された電力用半導体素子からの電極取出し用に、その一端側で該半導体素子に接続された電極端子が、その他端側でケース外面に沿って露出され、該電極端子上に配置される外部接続用の電極と電気的に接続される接続構造を備えた半導体パワーモジュールにおいて、ケース外面側にネジ止め用の雌ネジ孔を設け、該雌ネジ孔に対して、両端側にネジ山が形成された雄ネジ部材を、上記電極端子を貫通して螺合させる。
請求項（抜粋）：
ケース内部に樹脂封止された電力用半導体素子からの電極取出し用に、その一端側で該半導体素子に接続された電極端子が、その他端側でケース外面に沿って露出され、該電極端子上に配置される外部接続用の電極と電気的に接続される接続構造を備えた半導体パワーモジュールにおいて、ケース外面側にネジ止め用の雌ネジ孔が設けられており、該雌ネジ孔に対して、両端側にネジ山が形成された雄ネジ部材が、上記電極端子を貫通して螺合されていることを特徴とする半導体パワーモジュール。
IPC (4件)：
H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/28 ,  H01L 23/48
FI (3件)：
H01L 23/28 K ,  H01L 23/48 C ,  H01L 25/04 C
Fターム (5件)：
4M109AA01 ,  4M109BA03 ,  4M109DB09 ,  4M109GA02 ,  4M109GA05
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)
  • 特開平4-014249
  • 樹脂封止形半導体装置の端子構造
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-265222   出願人：富士電機株式会社
  • ワッシャ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-217442   出願人：株式会社エヌ・ティ・ティファシリティーズ

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