特許
J-GLOBAL ID：200903076985733530

窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法

発明者：
中村 修二

中村 修二 について

, 
山田 元量

山田 元量 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 豊栖 康弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-300940
公開番号（公開出願番号）：特開平7-131069
出願日： 1993年11月06日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：
【要約】【目的】 サファイアを基板とする窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーをチップ状に切断するに際し、切断面のクラック、チッピングの発生を防止し、歩留良く、所望の形状、サイズに切断する方法を提供する。【構成】 サファイア基板1上に窒化物半導体を積層したウエハーの窒化物半導体面に所望のチップ形状で第一の割り溝11を線状に形成し、第一の割り溝11の線と合致する位置で、ウエハーのサファイア基板1面に新たに第二の割り溝22を線状に形成して、前記第一の割り溝11の線幅(W1)よりも、第二の割り溝22の線幅(W2)を狭く調整した後、第一の割り溝11と、第二の割り溝22に沿ってウエハーをチップ状に分離する。
請求項（抜粋）：
サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を積層したウエハーの窒化ガリウム系化合物半導体面に所望のチップ形状で第一の割り溝を線状に形成する工程と、前記第一の割り溝の線と合致する位置で、前記ウエハーのサファイア基板面に新たに第二の割り溝を線状に形成すると共に、前記第一の割り溝の線幅(W1)よりも、第二の割り溝の線幅(W2)を狭く調整する工程と、前記第一の割り溝、および前記第二の割り溝に沿って前記ウエハーをチップ状に分離する工程とを具備することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/301 ,  H01L 21/86
FI (2件)：
H01L 21/78 L ,  H01L 21/86
引用特許：
審査官引用 (4件)
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