特許
J-GLOBAL ID:200903076992951704
原子層化学気相成長装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
恩田 博宣 (外1名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-505362
公開番号(公開出願番号):特表2003-502878
出願日: 2000年06月23日
公開日(公表日): 2003年01月21日
要約:
【要約】ほぼ円筒形をなすチャンバ(15)と、チャンバ(15)内に取付けられたウェハ基板(22)とを含む原子層堆積(ALD)リアクタ(13)が開示される。ALDリアクタ(13)は更に、チャンバ(15)内に取付けられた少なくとも一本の噴射チューブ(14)であって開孔(32)から発する気体をウェハ基板(22)に向けて導向する複数の開孔(32)を一側に有する少なくとも一本の噴射チューブ(14)を更に有する。噴射チューブ(14)から気体が間欠的に供給される間に、ウェハ基板(22)又は噴射チューブ(14)のいずれかがチャンバ(15)内の長手方向平面内で連続的に回動され、気体によるウェハ基板(22)の完全で均一な被覆を確実とする。
請求項(抜粋):
ほぼ円筒形をなすチャンバと、 該チャンバ内に装着された基板と、前記チャンバ内に装着されかつ一側に沿って複数の開孔を有する少なくとも一本の噴射チューブであって、前記複数の開孔は該複数の開孔から発するガスを前記基板に導向する、少なくとも一本の噴射チューブとを有し、 前記噴射チューブから気体が間欠的に供給される間に前記基板及び噴射チューブの一方は前記チャンバ内の長手方向平面内において回転され、前記気体による基板の完全で均一な被覆を確実にする原子層析出(ALD)リアクタ。
IPC (3件):
H01L 21/205
, C23C 16/44
, C23C 16/455
FI (3件):
H01L 21/205
, C23C 16/44 A
, C23C 16/455
Fターム (24件):
4K030AA02
, 4K030BA02
, 4K030BA08
, 4K030BA09
, 4K030BA25
, 4K030BA29
, 4K030BA48
, 4K030CA04
, 4K030EA03
, 4K030FA10
, 4K030GA05
, 4K030JA11
, 4K030JA12
, 4K030KA05
, 4K030LA14
, 4K030LA15
, 5F045AA00
, 5F045BB02
, 5F045EB02
, 5F045EE19
, 5F045EF04
, 5F045EF05
, 5F045EF10
, 5F045EM10
引用特許:
審査官引用 (3件)
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特開昭59-003099
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アルミニウム合金薄膜の形成装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-056002
出願人:川崎製鉄株式会社
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特開平1-012522
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