特許
J-GLOBAL ID：200903077005013354
FNトンネルを有する不揮発性プログラマブル相互接続セル及びそのプログラミング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外6名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-507595
公開番号（公開出願番号）：特表平11-510315
出願日： 1996年07月01日
公開日（公表日）： 1999年09月07日
要約：
【要約】ノードにプログラマブルに接続又は切断するMOSスイッチトランジスタのゲートとして各セルが浮遊ゲートを有する、プログラマブル相互接続セルのアレイがFPGAに用いられている。制御ゲート(53)に容量的に接続された各セルの浮遊ゲート(15G)は、集積回路基板(40)のプログラム/消去ライン(41)上のトンネリングオキサイド(31G)を通り抜けるFowler-Nordheimによってプログラムされている。トンネリングオキサイド下のプログラム/消去ライン領域に近接してPN接合を形成する少なくとも1つのトンネリング制御ライン(71A、B)は、プログラム/消去ラインに隣接し平行である。逆バイアス下では、深い電荷空乏領域が、ブロックトンネリングに対してプログラム/消去ライン領域に形成されている。この仕方では、選択されたセルは、プログラム/消去され得るが、選択されていないセルはプログラム/消去されない。
請求項（抜粋）：
複数の回路ノードと、複数のプログラマブル相互接続とを有する集積回路において、各プログラマブル相互接続は、プログラムされた状態に応じて、前記回路ノードを接続することができ、各プログラマブル相互接続は、 第1のMOSトランジスタであって、第1及び第2の回路ノードにそれぞれ接続された第1及び第2のソース/ゾレインと、フローティングゲート上の電荷の量に応じて、前記第1のMOSトランジスタをオン又はオフするゲートとを有する第1のMOSトランジスタ、及び トンネル素子であって、前記第1のMOSトランジスタの前記ゲートに接続され且つトンネル酸化物層を介してプログラミング/消去ラインに結合されたフローティングゲートと、このフローティングゲート及び別のプログラマブル相互接続の別のトンネル素子のフローティングゲートに容量結合された制御ゲートと、前記酸化物層を介してのトンネル通過を制御されて禁止するための手段とを有するトンネル素子、から成り、 前記別のプログラマブル相互接続をプログラムすること無しに選択的にプログラム可能である前記プログラマブル相互接続。
IPC (6件)：
H01L 21/82
, G11C 16/04
, H01L 21/8247
, H01L 27/115
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 21/82 A
, H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
, G11C 17/00 623 B
