特許
J-GLOBAL ID：200903077005853735

軽量基板薄膜半導体装置および液晶表示装置

発明者：
三村 秋男

三村 秋男 について

, 
品川 陽明

品川 陽明 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 高崎 芳紘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-268668
公開番号（公開出願番号）：特開平9-116158
出願日： 1995年10月17日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 携帯用表示装置には、軽量、小型で耐衝撃性が要求される。すなわち、非耐熱性の軽量基板を使う液晶ディスプレイが必要で、高精細小型の観点から、p-Si TFTを使った周辺回路内蔵の液晶ディスプレイが不可欠となる。本発明は、ディスプレイの小型、軽量化が可能な軽量基板薄膜半導体装置および液晶表示装置を提供する。【解決手段】 小型、軽量化、耐衝撃性を実現するため、軽量基板としてプラスチック基板1または厚さ0.5mm以下の可撓な薄型ガラス基板を使用する。また、この非耐熱性の基板に高性能の p-Si TFT を形成するため、レーザ結晶化法5を用いる。レーザ結晶化の熱が基板に直接伝導しないようにするため、基板の上に熱放散手段2を設け、また、過度の熱入射がないように、照射レーザビーム量を制限する。
請求項（抜粋）：
軽量の基板と、その基板上に形成した薄膜半導体部と、より成る軽量基板薄膜半導体装置において、半導体膜の結晶化をエネルギービームにより行なう際の熱による上記基板の損傷を防止するのに十分な熱放散手段を、上記基板の上であって上記半導体膜の下方に有することを特徴とする軽量基板薄膜半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12
FI (5件)：
H01L 29/78 627 G ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 27/12 R
引用特許：
審査官引用 (11件)
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