半導体レーザ素子及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：後藤洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-276405
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125994
出願日： 1996年10月18日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：

【要約】【課題】半導体レーザ素子の製造工程を簡略化し、以て低価格な半導体レーザ素子とその製造方法を提供すること。【解決手段】ウエハ21上にレジスト膜23を塗布しマスクパターンを形成する工程と、ウエハ21上に複数の配列溝24を形成する工程と、レジスト膜23を除去する工程と、ウエハ21の両面に電極25を形成する工程と、ウエハ21に劈開用のキズ26を付ける工程と、ウエハ21を劈開し複数の半導体レーザバー27を形成する工程と、複数の半導体レーザバー27を劈開端面28が露出するように端面コーティング用治具48に略垂直に載置する工程と、劈開端面28に保護膜29を形成する工程と、複数の半導体レーザバー27を他方の劈開端面28が露出するように端面コーティング用治具48に略垂直に載置する工程と、他方の劈開端面28に保護膜30を形成する工程と、各半導体レーザバー27を個々の半導体レーザ素子1に分離する工程とを有する。

請求項（抜粋）：

相対向する第1と第2の面を有する半導体基板と、該半導体基板の前記第1の面に一方向に沿って形成された活性層と、前記半導体基板の前記活性層の両端側にそれぞれ形成される発光面及び発光背面と、前記第1及び第2の面にそれぞれ形成された電極面とを備える半導体レーザ素子において、前記半導体基板の前記発光面又は発光背面の少なくとも一方の面と前記第2の面との境界に切欠部を設けたことを特徴とする半導体レーザ素子。

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開昭59-219975
特開昭63-153876
半導体レーザ装置素子基板、及び半導体レーザ装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-061534 出願人：三菱電機株式会社

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