特許
J-GLOBAL ID:200903077011041254

LEDランプ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴江 武彦 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-342441
公開番号(公開出願番号):特開2000-332300
出願日: 1999年12月01日
公開日(公表日): 2000年11月30日
要約:
【要約】【課題】AlGaInP LED構造物がいくつかのワットにおいて稼働して、そしてこの構造から高い効率で熱吸収を有するLEDランプを提供すること。【解決手段】チップ結晶基板を欠いた薄いLED構造体8は、ヒートシンク86に近い活性領域10を有している。反射体97,87は、前記構造の上方と下方に位置されており、そしてこの構造体は、反射体によって案内される光を抽出するキャビティ14を備えている。光がキャビティによって射出し得るので、このチップのエリアは広く、そして高い力において稼働し得る。活性領域で作られた大きい熱は、効率的にチップ基板による熱転送の妨害なしに、ヒートシンクによって吸収される。
請求項(抜粋):
所定の厚さを有し、また垂直に積み重ねられた複数の半導体の層を有しているLED半導体のコアと、このコアから光を射出させる側壁を有し、このコアに形成された溝と、前記コアの上方及び下方に夫々ある第1及び第2の反射体とを具備しており、各反射体は、反射体に対して60度の入射角で、前記コアからの光を反射し、またこれら反射体は、前記コア中で発生した前記光を、前記キャビティ方向に案内し、そして前記コアは、GaAsに格子状に適合され、そして可視光線を発生するLEDランプ。
Fターム (18件):
5F041AA31 ,  5F041AA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA37 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F041CA88 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5F041CB25 ,  5F041DA04 ,  5F041DA12 ,  5F041DA20 ,  5F041DA44 ,  5F041DA57 ,  5F041DB08 ,  5F041EE23
引用特許:
審査官引用 (3件)

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