特許
J-GLOBAL ID:200903077014955591

配線の構造及びその形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 杉村 次郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-129264
公開番号(公開出願番号):特開平9-293877
出願日: 1996年04月26日
公開日(公表日): 1997年11月11日
要約:
【要約】【課題】 アクティブマトリックス型の液晶表示装置における薄膜トランジスタを構成するためのゲート電極の表面に陽極酸化膜を形成した後に、ゲート電極にゲートラインを介して接続された接続パッドの表面に形成された陽極酸化用マスクを容易にかつ完全に除去する。【解決手段】 接続パッド14の表面のみを酸化シリコンからなる陽極酸化用マスク17で被った状態において陽極酸化を行い、ゲート電極12の表面に陽極酸化膜18を形成する。次に、上面全体に窒化シリコンからなるゲート絶縁膜19を成膜する。この後、接続パッド14の中央部に対応する部分におけるゲート絶縁膜19及び陽極酸化用マスク17にコンタクトホール25を形成する。この場合、ゲート絶縁膜19と陽極酸化用マスク17とを一括して容易にエッチングすることができる。しかも、コンタクトホール25内における接続パッド14の上面に陽極酸化用マスク17が全く残らないようにすることができる。
請求項(抜粋):
接続パッドを有する配線の表面のうち前記接続パッドの周囲部が無機膜によって被われ、少なくとも前記接続パッドの中央部を除く前記配線の表面に陽極酸化膜が形成されていることを特徴とする配線の構造。
IPC (5件):
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/60 301
FI (5件):
H01L 29/78 617 W ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/316 T ,  H01L 21/60 301 P ,  H01L 29/78 612 C
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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