特許

J-GLOBAL ID：200903077088778233

常誘電体薄膜およびその形成方法

発明者： 竹内 義行
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (1件)： 正林 真之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-202168
公開番号（公開出願番号）：特開2007-019432
出願日： 2005年07月11日
公開日（公表日）： 2007年01月25日
要約：

【課題】常誘電性で、リーク電流が低く、かつ誘電率が高い常誘電体薄膜の形成方法を提供する。【解決手段】Ba,Sr,Bi,Sc,V,Y,Zr,Nb,Hf,Ta,Si,Ge,Snから選ばれる少なくとも1種類の金属Mとチタンの各アルコキシド類の混合物を加水分解するか、あるいは前記金属Mおよびチタンの複合金属のアルコキシド類を加水分解することによって有機金属化合物を含有する組成物を調製し、この組成物を基板上に塗布し、得られた塗膜を仮焼成して硬化薄膜を形成する工程を1サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返し、積層された硬化薄膜を本焼成する。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

Ba,Sr,Bi,Sc,V,Y,Zr,Nb,Hf,Ta,Si,Ge,Snから選ばれる少なくとも1種類の金属Mとチタンとの複合酸化物から構成された常誘電体薄膜の形成方法であって、 前記金属Mおよびチタンの各アルコキシド類の混合物を加水分解するか、あるいは前記金属Mおよびチタンの複合金属のアルコキシド類を加水分解することによって有機金属化合物を含有する組成物を調製し、この組成物を基板上に塗布し、得られた塗膜を焼成して硬化薄膜を形成する工程を1サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返すことを特徴とする常誘電体薄膜の形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  C01G 23/00 ,  C01G 29/00

FI (4件)：

H01L21/316 G ,  H01L27/10 651 ,  C01G23/00 C ,  C01G29/00

Fターム (24件)：

4G047CA07 ,  4G047CB06 ,  4G047CC02 ,  4G047CD02 ,  4G048AA05 ,  4G048AB02 ,  4G048AC02 ,  4G048AD02 ,  4G048AE05 ,  4G048AE08 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F083AD60 ,  5F083GA06 ,  5F083GA27 ,  5F083JA13 ,  5F083JA14 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 強誘電体キャパシタ、強誘電体キャパシタを具える半導体装置、強誘電体キャパシタの製造方法及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-188216   出願人：沖電気工業株式会社