特許
J-GLOBAL ID：200903004208858352
強誘電体キャパシタ、強誘電体キャパシタを具える半導体装置、強誘電体キャパシタの製造方法及び半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-188216
公開番号（公開出願番号）：特開2005-026345
出願日： 2003年06月30日
公開日（公表日）： 2005年01月27日
要約：
【課題】強誘電体キャパシタの強誘電体特性の劣化を防止する。【解決手段】シリコン酸化膜13に設けられたプラグ34の頂面a上からシリコン酸化膜上にわたって、下部電極膜103を形成する。下部電極膜の表面bの周縁を所定幅で額縁状に覆うように、常誘電体膜104を形成する。常誘電体膜の開口部60から露出している下部電極膜上から、当該露出している下部電極膜の周囲の常誘電体膜上にわたって、強誘電体膜106を形成する。強誘電体膜の表面dにおいて、下部電極膜と強誘電体膜との接触面cと対向する領域上から常誘電体膜と対向する領域上にわたって、上部電極膜108を形成する。上部電極膜の表面eにおいて、接触面cと対向する領域上から常誘電体膜と対向する領域上までを覆うマスクを介してエッチングを行う。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
絶縁層の貫通孔内に形成された導電部の頂面上から、該頂面の周囲の前記絶縁層上にわたって、下部電極膜を形成する下部電極膜形成工程と、
前記下部電極膜上に、該下部電極膜の表面の一部が露出されるように、常誘電体膜を形成する常誘電体膜形成工程と、
露出している前記下部電極膜上から、該露出している下部電極膜の周囲の前記常誘電体膜上にわたって、強誘電体膜を形成する強誘電体膜形成工程と、
前記強誘電体膜の表面において、前記下部電極膜と前記強誘電体膜との接触面と対向する領域上から、該領域の周囲であってかつ前記常誘電体膜と対向する領域上にわたって、上部電極膜を形成する上部電極膜形成工程と、
前記上部電極膜の表面において、前記下部電極膜と前記強誘電体膜との接触面と対向する領域上から、該領域の周囲であってかつ前記常誘電体膜と対向する領域上までを覆うマスクを介して、前記上部電極膜の表面側から、前記上部電極膜、前記強誘電体膜、前記常誘電体膜及び前記下部電極膜に対してエッチングを行うエッチング工程とを含むことを特徴とする強誘電体キャパシタの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (15件)：
5F083GA27
, 5F083JA02
, 5F083JA06
, 5F083JA15
, 5F083JA17
, 5F083JA35
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA43
, 5F083MA06
, 5F083MA17
, 5F083MA20
, 5F083PR34
, 5F083PR40
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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