特許
J-GLOBAL ID：200903077089203145

半導体装置の電極構造および半導体パッケージ

発明者：
上 月 繁 雄

上 月 繁 雄 について

, 
江 本 孝 朗

江 本 孝 朗 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について

, 
姫路東芝電子部品株式会社

姫路東芝電子部品株式会社 について


代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-295921
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110981
出願日： 2000年09月28日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：
【要約】【課題】 低抵抗を実現する半導体装置の電極構造および半導体パッケージを提供する。【解決手段】 MOS型大電力用半導体装置10の電極構造において、半導体装置10の上面にALで形成され、それぞれMOSトランジスタのゲートまたはソースに接続されたAL電極層15,17と、AL電極層15,17の表面にそれぞれはんだ付け可能な金属材料で形成された金属メッキ層35,37とを備え、AL電極層15,17とパッケージのリード端子54,53とを金属メッキ層35,37およびワイヤ104,Cu接続板55をそれぞれ介して接続する。
請求項（抜粋）：
半導体回路が形成された半導体装置の第1の表面に第1の金属で形成され、前記半導体回路に接続された第1の電極層と、前記第1の電極層の上に、外部の取り出し電極とはんだ付け可能な第2の金属で形成された金属メッキ層と、を備える半導体装置の電極構造。
IPC (7件)：
H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/78 653 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/288 ,  H01L 23/50
FI (8件)：
H01L 29/78 652 L ,  H01L 29/78 652 Q ,  H01L 29/78 653 C ,  H01L 21/28 301 L ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 21/288 N ,  H01L 23/50 F ,  H01L 23/50 X
Fターム (17件)：
4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104CC01 ,  4M104DD23 ,  4M104DD53 ,  4M104EE09 ,  4M104EE18 ,  4M104FF13 ,  4M104GG18 ,  4M104HH08 ,  4M104HH16 ,  5F067AA03 ,  5F067CA01 ,  5F067DA05 ,  5F067DF20
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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