特許
J-GLOBAL ID:200903039736882875
集積回路ダイ及びその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
大島 陽一 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-353915
公開番号(公開出願番号):特開平8-264785
出願日: 1995年12月28日
公開日(公表日): 1996年10月11日
要約:
【要約】【課題】 内部バスその他の導電経路の抵抗が小さい集積回路ダイ及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 本発明によると、上面のバスその他の導電経路上に比較的厚い金属ストラップ層が形成される。金属ストラップ層は、バスなどの上部を覆うパッシベーション層をエッチングして縦方向の溝を形成し、この溝内に於いて厚い金属層をめっきすることにより形成される。ニッケルをメッキすることが好ましい。金属ストラップ層によって、バスの抵抗を大幅に減少させることができる。
請求項(抜粋):
集積回路ダイであって、第1金属導電経路と、前記第1金属導電経路の表面上に形成された第1金属ストラップ層と、当該ダイの表面上に横方向に延在するパッシベーション層とを含み、前記第1金属導電経路と前記第1金属ストラップ層は、当該ダイについて概ね横方向に電流を流すためのものであり、前記第1金属ストラップ層が前記パッシベーション層を横切っていることを特徴とする集積回路ダイ。
IPC (4件):
H01L 29/78
, H01L 21/3205
, H01L 21/8234
, H01L 27/088
FI (4件):
H01L 29/78 652 M
, H01L 21/88 B
, H01L 21/88 M
, H01L 27/08 102 E
引用特許:
審査官引用 (33件)
-
特開昭60-225467
-
特開平1-238174
-
特開平4-111324
-
特開平3-278579
-
特開平4-130667
-
半導体装置の配線形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-256849
出願人:株式会社東芝
-
特開平3-104230
-
特開平1-196852
-
半導体素子の電極形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-015188
出願人:松下電器産業株式会社
-
特開昭60-225467
-
特開平1-238174
-
特開平4-111324
-
特開平3-278579
-
特開平4-130667
-
特開平3-104230
-
特開平1-196852
-
半導体装置およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-082016
出願人:松下電子工業株式会社
-
縦型構造トランジスタ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-172645
出願人:シャープ株式会社
-
特開昭61-210668
-
特開平1-206668
-
特開平2-268467
-
特開昭60-225467
-
特開平1-238174
-
特開平4-111324
-
特開平3-278579
-
特開平4-130667
-
特開平3-104230
-
特開平1-196852
-
特開昭61-210668
-
特開平1-206668
-
特開平2-268467
-
半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-017988
出願人:富士通株式会社
-
特開昭6-021055
全件表示
前のページに戻る