垂直方向接触接続部付き半導体素子のための製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：矢野敏雄 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-523749
公開番号（公開出願番号）：特表平8-510360
出願日： 1994年05月02日
公開日（公表日）： 1996年10月29日
要約：

【要約】垂直方向での接触接続のための接触ストラクチャを有する素子の製造方法において、第1の素子の金属接触層(4)と、第2の素子の金属接触層(4’)との接続のために、垂直の導電接続用に設けられる領域の中でサブストレート(1)を表面からエッチング除去し、生じた凹欠を金属(9)で充填して、該金属(9)を金属接触層(4)の表面と接続し、サブストレート(1)の裏面を、該金属(9)がこの裏面を突出するまで除去し、第2の素子の金属接点(4’)の上に低い融点の金属例えばAuInから成る金属化層(19)を被着し、この第2の素子の表面にプレーナ層(17)を設け、前記の両方の素子を互いに垂直に配置し、押圧と加熱により第1の素子の金属(9)と第2の素子の金属化層との間に持続的な接触を形成する。第8図。

請求項（抜粋）：

別の半導体素子との垂直方向での接触(接続)部形成のための接触部ストラクチャを有する半導体素子の製造方法において、第1ステップにおいてサブストレート(1)の上に、接触されるべき接触層を有する層ストラクチャを半導体材料または金属接触部または導体路から作成し、第2ステップにおいて、マスクの使用の下に垂直の凹欠(10)を、後続の第4ステップのために十分な深さまで、この層ストラクチャの設けられた面から始めて、このサブストレート(1)の中へエッチングにより形成し、第3ステップにおいて、この凹欠(10)の中へ、および半導体材料から成る接触接続されるべき接触部(コンタクト)層の表面へ、または金属接触部(4)の表面へ、または導体路の表面へ、金属(9)を析出被着して、この凹欠(10)の中へ導入された、この金属(9)の部分をこの表面へ被着されたこの金属(9)の部分と導電接続し、第4ステップにおいて前記の層ストラクチャに対向する、サブストレート(1)の面を、凹欠(10)の中の金属(9)がサブストレートのこの面を越えて突出するまで除去することを特徴とする、垂直の方向での接触接続される複数個の半導体素子のための製造方法。

IPC (2件)：

H01L 27/00 301 , H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 27/00 301 B , H01L 21/90 A

引用特許：

審査官引用 (16件)

特開昭60-007149
特開昭60-098654
特開昭60-235446

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