半導体基板、半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：花輪義男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-320581
公開番号（公開出願番号）：特開2005-093461
出願日： 2003年09月12日
公開日（公表日）： 2005年04月07日
要約：

【課題】 CSPの製造工程において、ポスト電極形成後においてアライメントマークを確実に認識することができるようにする。【解決手段】ウエハ状態のシリコン基板2上にポスト電極10を形成するためのレジスト膜55の露光を行なうとき、半導体素子形成領域1Aに対しては、ポスト電極形成用露光マスクを用いて行ない、アライメントマーク形成領域21Aに対しては、アライメント用ポスト電極形成用露光マスクを用いて行なう。これにより、半導体素子形成領域1Aにはポスト電極10のみが形成され、アライメントマーク形成領域21Aには仮アライメント用ポスト電極22および本アライメント用ポスト電極23のみが形成される。この場合、仮アライメント用ポスト電極23は、ウエハ状態のシリコン基板2の仮位置決めを行なうためのものであり、本アライメント用ポスト電極23は、ウエハ状態のシリコン基板2の本位置決めを行なうためのものである。【選択図】図12

請求項（抜粋）：

各々複数のポスト電極を有する複数の半導体素子形成領域と、該半導体素子形成領域と同じ平面サイズを有し、互いに異なる形状の複数種類のアライメント用ポスト電極を有するアライメントマーク形成領域とを備えていることを特徴とする半導体基板。

IPC (1件)：

H01L21/60

FI (1件)：

H01L21/92 602P

引用特許：

出願人引用 (1件)

ボンディング用パッド及びホトマスクのアライメント方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-368414 出願人：新日本無線株式会社

審査官引用 (6件)

特開平2-002606
特開平2-002606
半田バンプの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-146565 出願人：イビデン株式会社

全件表示

前のページに戻る