特許
J-GLOBAL ID：200903077134833678
pnp形バイポーラトランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富村 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-157476
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330324
出願日： 1996年05月29日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：
【要約】【課題】 pnpトランジスタの特性を改良する。【解決手段】 高ドープされたp導電性エミッタ領域8、34、ベース領域7、30及びコレクタ領域並びにエミッタ領域の下に埋め込まれたn導電性領域2、22及び高ドーピングのエミッタ領域8、34から埋封領域2、22に達するp導電性のもう1つの領域10、36を有するpnp形バイポーラトランジスタを形成する。
請求項（抜粋）：
高ドーピングのp導電性エミッタ領域、ベース領域並びにエミッタ領域の下に埋め込まれているn導電性領域、高ドーピングのエミッタ領域(8;34)と埋封領域(2;22)との間に配設されておりこの高ドーピングエミッタ領域と接続しているp導電形のもう1つの領域(10;36)、及び高ドーピングのコレクタ端子領域(11;31)とこの領域から埋封領域(2;22)まで達するp導電形領域(13;37)を含むコレクタ領域を有することを特徴とするpnpバイポーラトランジスタ。
IPC (4件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 21/8249
, H01L 27/06
H01L 29/72
, H01L 27/06 321 C
