特許

J-GLOBAL ID：200903077155674294

酸化亜鉛膜の形成方法及び該酸化亜鉛膜を用いた光起電力素子

発明者： 園田 雄一
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 荻上 豊規
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-377715
公開番号（公開出願番号）：特開2000-199098
出願日： 1998年12月28日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
要約：

【要約】【目的】 電解析出法により基板密着性に優れた高品質の酸化亜鉛膜を効率的に形成する方法を提供する。【構成】 導電性基体を、少なくともアンモニウムイオンと亜鉛イオンを含有してなる水溶液に浸漬し、該水溶液中に浸漬された対向電極との間に通電し、酸化亜鉛膜を前記導電性基体上に堆積する酸化亜鉛膜形成方法であって、前記アンモニウムイオンの濃度を前記亜鉛イオンの濃度の2倍〜6倍の範囲に制御することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

導電性基体を少なくともアンモニウムイオンと亜鉛イオンを含有してなる水溶液に浸漬し、該水溶液中に浸漬された対向電極との間に通電し、酸化亜鉛膜を前記導電性基体上に堆積する酸化亜鉛膜の形成方法であって、前記アンモニウムイオンの濃度を前記亜鉛イオンの濃度の2倍〜6倍の範囲に制御することを特徴とする酸化亜鉛膜の形成方法。

IPC (5件)：

C25D 9/04 ,  C01G 9/02 ,  C25D 7/12 ,  H01L 31/04 ,  H01M 14/00

FI (5件)：

C25D 9/04 ,  C01G 9/02 B ,  C25D 7/12 ,  H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 M

Fターム (40件)：

4G047AA02 ,  4G047AB02 ,  4G047AC03 ,  4G047AD02 ,  4K024AA00 ,  4K024AA05 ,  4K024AA09 ,  4K024AA17 ,  4K024AB02 ,  4K024AB03 ,  4K024AB15 ,  4K024BA04 ,  4K024BB12 ,  4K024BB27 ,  4K024BC01 ,  4K024CA01 ,  4K024CB03 ,  4K024DA04 ,  4K024DA07 ,  4K024DB03 ,  4K024DB10 ,  4K024GA16 ,  5F051AA03 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051BA14 ,  5F051BA17 ,  5F051CB27 ,  5F051DA04 ,  5F051FA02 ,  5F051FA15 ,  5F051FA23 ,  5F051GA02 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB05 ,  5H032BB07 ,  5H032EE02 ,  5H032EE18 ,  5H032HH02

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 酸化亜鉛膜作製用電解液
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-023775   出願人：大阪市, 奥野製薬工業株式会社