特許
J-GLOBAL ID：200903077158864680

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者：
川上 隆見

川上 隆見 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-245875
公開番号（公開出願番号）：特開平8-111461
出願日： 1994年10月12日
公開日（公表日）： 1996年04月30日
要約：
【要約】【目的】 マスク工程を増やさずにNチャネルについてしきい値の異なるもの(高しきい値と中しきい値の各Nチャネルトランジスタ等)を作り合わせることができるメモリ等の半導体技術を提供する。【構成】 Si等の半導体基板1上に、2以上のNチャネルトランジスタ(A)(B)が形成され、少なくとも1つのNチャネルトランジスタ(B)には低濃度拡散層領域21b,22bとN領域先端をおおう不純物導入領域(例えばポケットイオン注入領域)とを形成し、他の少なくとも1つのNチャネルトランジスタ(A)には低濃度拡散層領域及びN領域先端をおおう不純物導入領域はともに形成することなく高濃度拡散層領域31a,32aを形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、2以上のNチャネルトランジスタが形成されている半導体装置であって、少なくとも1つのNチャネルトランジスタには低濃度拡散層領域とN領域先端をおおう不純物導入領域とを形成し、他の少なくとも1つのNチャネルトランジスタには低濃度拡散層領域及びN領域先端をおおう不純物導入領域はともに形成することなく高濃度拡散層領域を形成することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092
FI (2件)：
H01L 27/08 102 B ,  H01L 27/08 321 E
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-180905   出願人：シヤープ株式会社
  • 特開平4-255233
  • 特開平4-255233
審査官引用 (3件)
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-180905   出願人：シヤープ株式会社
  • 特開平4-255233
  • 特開平4-255233

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