特許
J-GLOBAL ID:200903077173381431

ランプアニール装置およびランプアニール方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 京本 直樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-155093
公開番号(公開出願番号):特開平11-003868
出願日: 1997年06月12日
公開日(公表日): 1999年01月06日
要約:
【要約】【課題】アニール工程のランプアニール装置において、ウェーハ面内の温度ばらつきを押える。【解決手段】アニール時のウェーハ16の実温をモニターし、この信号によってウェーハ加熱用のランプヒータ14の電力を制御させる際の、ウェーハ実温モニター用の接触式温度センサーである熱電対17が、処理室(チャンバー)中でウェーハを保持するサセプター12もしくは台座に埋め込み型となっており、かつこれらが、ウェーハ面内の複数位置に設置されることにより、ウェーハ面内の実温を詳細にモニターし、この温度により各ランプ14を個別に制御する。
請求項(抜粋):
半導体ウェーハを熱処理するランプアニール装置において、前記半導体ウェーハを処理室に搬入,取り出し,かつ、保持したまま処理する為のサセプタまたは、処理室内で前記半導体ウェーハを保持する台座と、前記サセプタまたは台座に埋め込まれ、半導体ウェーハ搭載表面にその温度検知部を露出させる複数の接触式温度センサーと、複数のランプとを有し、これら温度センサーからの信号により各ランプへ供給される電力を個別に制御可能とすることを特徴とするランプアニール装置。
IPC (2件):
H01L 21/26 ,  H01L 21/265
FI (2件):
H01L 21/26 T ,  H01L 21/265 602 B
引用特許:
審査官引用 (4件)
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