特許

J-GLOBAL ID：200903077189271750

トランジスタの製造プロセス評価方法及び、トランジスタの製造プロセス評価素子

発明者： 白澤 立基
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 森 哲也 ,  内藤 嘉昭 ,  崔 秀▲てつ▼
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-190915
公開番号（公開出願番号）：特開2006-013291
出願日： 2004年06月29日
公開日（公表日）： 2006年01月12日
要約：

【課題】 トランジスタの電気的特性に異常がある場合に、その不良解析に要する時間を短縮することができるようにしたトランジスタの製造プロセス評価方法及び、トランジスタの製造プロセス評価素子を提供する。【解決手段】 ウエーハWに形成されたICチップ100に含まれる代表的なMOSトランジスタ1の製造プロセスを評価するための評価素子10であって、MOSトランジスタ1と同一の製造プロセスによってウエーハWに形成された通常のMOSトランジスタ10aと、この製造プロセスからチャネルドープ工程だけを除いた不完全製造プロセスによって当該ウエーハWに形成されたネイティブトランジスタ10bと、を備えたものである。通常のMOSトランジスタ10aの閾値等に異常があった場合に、その値とネイティブトランジスタ10bの閾値等とを比較することで、その原因がチャネルドープ工程に有るか否かを容易に判断することができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板に形成される集積回路に含まれるトランジスタの製造プロセスを評価する方法であって、 前記製造プロセスからチャネルドープ工程だけを除いた不完全製造プロセスによって前記基板にネイティブトランジスタを形成する形成工程と、 前記ネイティブトランジスタを利用して前記製造プロセスを評価する評価工程と、を含むことを特徴とするトランジスタの製造プロセス評価方法。

IPC (5件)：

H01L 21/66 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/823

FI (4件)：

H01L21/66 Y ,  H01L27/04 A ,  H01L27/04 T ,  H01L27/08 102Z

Fターム (25件)：

4M106AA01 ,  4M106AA07 ,  4M106AB01 ,  4M106AB17 ,  4M106AC05 ,  4M106BA01 ,  4M106CA01 ,  4M106CA32 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ27 ,  5F038CA02 ,  5F038CA13 ,  5F038DT12 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ20 ,  5F048AB10 ,  5F048AC01 ,  5F048BA01 ,  5F048BB03 ,  5F048BB15 ,  5F048BB16 ,  5F048BD04 ,  5F048BE03 ,  5F048BF16 ,  5F048BG12

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体不良原因絞込み方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-026201   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体不良解析ツール、システム、不要解析方法および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-079931   出願人：株式会社日立製作所