半導体装置とその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-421622
公開番号（公開出願番号）：特開2005-183633
出願日： 2003年12月18日
公開日（公表日）： 2005年07月07日
要約：

【要約】【課題】耐圧特性が向上した横型電界効果トランジスタを提供すること。【解決手段】半導体基板110の表面に、p型のソース領域140と、それを囲繞するn型の領域125と、p型の高濃度ドレイン領域160と、それを囲繞するp型のフィールド領域150が形成されている。ソース領域140とp型フィールド領域150の間に位置するn型領域125の表面は薄いゲート絶縁層175で被覆されている。p型フィールド領域150の表面は絶縁分離層170で被覆されている。絶縁分離層170は、n型領域125とp型フィールド領域150の境界線近傍177からドレイン領域160に向けて徐々に厚くなっており、所定厚みに達した位置よりもドレイン領域160に近い範囲において、少なくとも局所的に厚みが減じられている。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に、第2導電型のソース領域と、それを囲繞する第1導電型の領域と、第2導電型の高濃度ドレイン領域と、それを囲繞する第2導電型の低濃度のフィールド領域が形成されており、ソース領域と第2導電型フィールド領域の間に位置する第1導電型領域の表面は薄いゲート絶縁層で被覆され、第2導電型フィールド領域の表面は絶縁分離層で被覆され、前記絶縁分離層は、第1導電型領域と第2導電型フィールド領域の境界線近傍からドレイン領域に向けて徐々に厚くなっており、所定厚みに達した位置よりもドレイン領域に近い範囲において、少なくとも局所的に厚みが減じられていることを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L29/78

FI (1件)：

H01L29/78 301D

Fターム (23件)：

5F140AA25 , 5F140AA30 , 5F140AB03 , 5F140AC01 , 5F140AC21 , 5F140BA01 , 5F140BC06 , 5F140BD18 , 5F140BD19 , 5F140BE07 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF44 , 5F140BG37 , 5F140BH13 , 5F140BH30 , 5F140BH43 , 5F140BH47 , 5F140BH49 , 5F140BK13 , 5F140BK22 , 5F140CB01 , 5F140CD09

引用特許：

出願人引用 (1件)

MOSトランジスタ及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-285276 出願人：シャープ株式会社

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