特許
J-GLOBAL ID:200903077206126270

半導体装置及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 竹村 壽
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-264864
公開番号(公開出願番号):特開2001-094001
出願日: 1999年09月20日
公開日(公表日): 2001年04月06日
要約:
【要約】【課題】 薄型化された半導体装置を得るために新規な構造のスティフナを用いて薄型化された半導体装置を得ると共に簡略化された工程を有する半導体装置の製造工程を提供する。【解決手段】 一面にインナーリード4及びこれに電気的に接続された外部端子6を備え、インナーリードと電気的に接続された半導体素子1を搭載した絶縁フィルム3の他面の半導体素子が搭載された領域を除く領域に銅やステンレス鋼などの材料からなるスティフナ9を貼り付ける。半導体素子とスティフナとの間隙にアンダーフィル樹脂封止体7が介在され、半導体素子と対向するスティフナの側面の上下の角部の少なくとも一方が角切り又はハーフエッチングされている。スティフナを絶縁フィルムに貼り付けてからアンダーフィル樹脂封止体を形成するポッティング工程及び外部端子のはんだボール取り付け工程を行える。
請求項(抜粋):
半導体素子と、前記半導体素子を収容する開口部を有し、一面に先端が前記半導体素子の接続電極に接続されたインナーリード及びこのインナーリードに電気的に接続された外部端子を取り付けた絶縁フィルムと、前記絶縁フィルムの他面の開口部を除く領域に貼り付けられたスティフナと、前記インナーリード先端と前記接続電極との接続部分を被覆し、前記半導体素子と前記スティフナの側面との間隙に充填されるように前記開口部に形成されたアンダーフィル樹脂封止体とを具備してなることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件):
H01L 23/12 ,  H01L 21/56 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (4件):
H01L 21/56 E ,  H01L 21/60 311 R ,  H01L 23/12 L ,  H01L 23/30 D
Fターム (11件):
4M109AA01 ,  4M109BA05 ,  4M109CA04 ,  4M109DB15 ,  5F044KK03 ,  5F044MM08 ,  5F044RR18 ,  5F061AA01 ,  5F061BA05 ,  5F061CA04 ,  5F061CA06
引用特許:
審査官引用 (3件)

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