圧接型半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-138818
公開番号（公開出願番号）：特開平9-321293
出願日： 1996年05月31日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：

【要約】【課題】寄生的に形成されるLCR共振回路による発振を抑制できるマルチチップ圧接型半導体装置を提供することを目的としている。【解決手段】エミッタ側熱緩衝板14,14,...とエミッタ圧接電極板27との間に、各IGBTチップ11,11,...間におけるエミッタ配線の寄生インダクタンスを低減するための導電性金属シート32を介在させたことを特徴としている。導電性金属シート32によって、各IGBTチップ11,11,...間のエミッタ配線の寄生インダクタンスを低減できるので、IGBTのスイッチングの際にノイズ等がトリガとなって寄生LCR共振回路が発振を開始するのを抑制でき、素子の異常動作や故障、破壊等を防ぐことができる。

請求項（抜粋）：

同一平面上に配置された複数の半導体チップと、これら半導体チップの主表面上にそれぞれ対応して設けられる複数の熱緩衝板と、前記熱緩衝板上に配置され、前記各半導体チップ間の電極配線の寄生インダクタンスを低減するための導電性金属シートと、この導電性金属シート上に配置され、前記各半導体チップとの対向面側に、前記各半導体チップに対応する柱状の突起部を有する第1の圧接電極板と、前記半導体チップの裏面側に配置される第2の圧接電極板とを具備し、前記第1,第2の圧接電極板で、前記導電性金属シート、前記複数の熱緩衝板、及び前記複数の半導体チップをそれぞれ重ねた状態で一括して圧接することを特徴とする圧接型半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 27/00 301

FI (3件)：

H01L 29/78 655 G , H01L 27/00 301 B , H01L 29/78 652 Q

引用特許：

審査官引用 (3件)

圧接型半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-246927 出願人：株式会社東芝
特開昭60-194565
特開昭59-172242

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