特許

J-GLOBAL ID：200903077223653950

半導体装置の製造方法

発明者： 内堀 千尋
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-183989
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026429
出願日： 1997年07月09日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の製造方法に関し、簡単な手段を採ることに依って、Si基板の高精度な微細加工を容易に実施できるようにする。【解決手段】 Si基板21にエッチング保護膜22と23を形成し、エッチング保護膜22に円形の開口22Aを形成してSi基板21を表出させ、開口22A内に表出された下地を異方性エッチングして底部に相対向する斜面で幅が定められた開口をもつ凹所21Aを形成することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

Si基板にエッチング保護膜を形成する工程と、該エッチング保護膜に円形の開口を形成して下地を表出させる工程と、該開口内に表出された下地を異方性エッチングして底部に相対向する斜面で幅が定められた開口をもつ凹所を形成する工程とが含まれてなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/306 ,  H01L 39/24 ZAA

FI (2件)：

H01L 21/306 B ,  H01L 39/24 ZAA J

引用特許：

審査官引用 (2件)

• シリコンの微細加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-020108   出願人：日本航空電子工業株式会社
• 特開昭60-257580