気相成長装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：小池隆彌 , 木下雅晴
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-300983
公開番号（公開出願番号）：特開2005-068502
出願日： 2003年08月26日
公開日（公表日）： 2005年03月17日
要約：

【課題】基板保持部材と流路構成部材底部の相対位置関係を精度よく合わせることで、被処理基板表面に均一性の膜を気相成長させる気相成長装置を提供する。【解決手段】被処理基板11の主面に垂直な方向には、被処理基板11との距離を測定するレーザ変位計24を含む位置測定装置が配設され、流路構成部材7の開口部10が形成された壁面および基板保持部材12の表面の、位置測定装置による測定対象部位は、位置測定装置から出射するレーザ光を少なくとも測定に必要な程度に反射することが可能となるように構成されており、流路構成部材7と基板保持部材12との位置関係を調整する位置調整装置18および位置調整装置を制御する制御装置23を備えるように構成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ガス供給口およびガス排出口に連通する反応室を構成し、そのいずれかの壁面に円形の開口部が形成された流路構成部材と、前記開口部に配設され被処理基板を保持する円形の基板保持部材と、前記基板保持部材を回転駆動させる回転装置とを備えた気相成長装置であって、前記被処理基板の主面に垂直な方向には、前記被処理基板との距離を測定するレーザ変位計を含む位置測定装置が配設され、前記流路構成部材の開口部が形成された壁面および基板保持部材の表面の、前記位置測定装置による測定対象部位は、前記位置測定装置から出射するレーザ光を少なくとも測定に必要な程度に反射することが可能であり、前記流路構成部材と前記基板保持部材との位置関係を調整する位置調整装置、および、前記位置測定装置により得られたデータに基づいて前記位置調整装置を制御する制御装置を備えた、気相成長装置。

IPC (3件)：

C23C16/52 , H01L21/205 , H01L21/68

FI (3件)：

C23C16/52 , H01L21/205 , H01L21/68 F

Fターム (24件)：

4K030GA02 , 4K030GA05 , 4K030JA03 , 4K030KA39 , 4K030KA41 , 4K030KA46 , 5F031CA02 , 5F031HA37 , 5F031HA59 , 5F031JA04 , 5F031JA06 , 5F031JA13 , 5F031JA29 , 5F031JA30 , 5F031KA06 , 5F031KA20 , 5F031LA15 , 5F031MA28 , 5F031NA05 , 5F045AA04 , 5F045BB12 , 5F045DP02 , 5F045DQ10 , 5F045EM02

引用特許：

出願人引用 (1件)

気相成長装置及び気相成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-016595 出願人：富士通株式会社

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