特許
J-GLOBAL ID：200903077260365337
半導体基板の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 強
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-126738
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321549
出願日： 1997年05月16日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：
【要約】【課題】 SOI基板の半導体層にパターン構造を用いる場合に、剥離のためのイオン注入でイオン注入層に段差が生ずるのを防止する。【解決手段】 SOI基板11は、シリコンベース基板12上に酸化膜13を介して単結晶シリコン膜14が形成された構造で、単結晶シリコン膜14は、パターン構造15として、素子を形成するためのパターン部15aが酸化膜13で分離した状態に形成されている。また、素子の形成には用いない領域として酸化膜13で分離した状態にダミーパターン部15bが形成されている。これは、パターン構造形成工程でダミーパターン部15bを形成することにより、イオン注入工程で行なうイオン注入の注入深さが均一となるようにするためで、剥離工程で剥離したときの面の平坦度を高めるためで、これによって精度良く単結晶シリコン膜14を形成することができる。
請求項（抜粋）：
支持基板(12)上に絶縁された状態でパターン構造(15,21,23,24)を有した素子形成用の半導体層(14,14a,14b)を設けてなる半導体基板(11,20,22)の製造方法において、前記半導体層(14,14a,14b)を形成するための半導体層用基板(17)に前記パターン構造(15,21,23,24)を形成するパターン構造形成工程(P1)と、前記パターン構造(15,21,23,24)が形成された前記半導体層用基板(17)にそのパターン構造(15,21,23,24)側から所定のイオンを注入してイオン注入層(19)を形成するイオン注入工程(P2)と、前記半導体層用基板(17)に前記支持基板(12)を貼り合わせる貼り合わせ工程(P3)と、貼り合わせた前記半導体層用基板(17)および前記支持基板(12)を熱処理して前記イオン注入層(19)部分で剥離する剥離工程(P4)と、前記支持基板(12)の剥離面を研磨する剥離面研磨工程(P5)とを含んでなり、前記パターン構造形成工程(P1)では、形成すべき前記パターン構造(15,21,23,24)のパターン部(15a,21a,23a,24a)の配置状態に起因して前記イオン注入層(19)が段差をもつ状態となる領域に対応して、そのパターン部(15a,21a,23a,24a)と同様の構成のダミーパターン部(15b,21b,23b,24b)を設けることにより前記イオン注入層(19)が略同一面内に形成されるようにしたことを特徴とする半導体基板の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/265 Q
, H01L 27/12 E
, H01L 27/12 B
