特許

J-GLOBAL ID：200903077315711833

レーザスクライブ方法、レーザ加工装置および電気光学装置

発明者： 黒木 泰宣 ,  山崎 豊 ,  梅津 一成
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (2件)： 上柳 雅誉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-115429
公開番号（公開出願番号）：特開2007-284310
出願日： 2006年04月19日
公開日（公表日）： 2007年11月01日
要約：

【課題】基板の表面および表面近傍へ確実に改質層を形成することが可能なレーザスクライブ方法、レーザ加工装置および電気光学装置を提供することを目的とする。【解決手段】レーザ光4を石英基板51の内部へ集光させる改質工程において、改質層60a、60b、60cを形成し、続いて、石英基板51のレーザ光4の入射面51a直近へ改質層61を形成する場合に、集光レンズ7と石英基板51の間に収差制御部として石英ガラス板8を挿入する。これにより、入射面51a直近でのレーザ光4の収差が拡大してレーザ光4の強度Pが減少し、石英基板51の熱変形および入射面51aでのブレークダウンの発生などを抑制しつつ改質層61を形成可能である。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

レーザ加工装置のレーザ光を被加工物の内部へ照射し多光子吸収による改質層を形成するレーザスクライブ方法であって、 前記レーザ加工装置へ前記被加工物を載置する載置工程と、 前記レーザ光を前記被加工物の内部へ集光させて、前記改質層を形成する改質工程と、 少なくとも前記レーザ光が前記被加工物に入射する面の直近へ前記改質層を形成する場合に、収差制御部によって前記レーザ光に収差を生じさせる収差工程と、を有することを特徴とするレーザスクライブ方法。

IPC (4件)：

C03B 33/09 ,  B23K 26/38 ,  B23K 26/40 ,  B23K 26/06

FI (4件)：

C03B33/09 ,  B23K26/38 320 ,  B23K26/40 ,  B23K26/06 Z

Fターム (4件)：

4E068AE00 ,  4E068CD01 ,  4E068CD08 ,  4G015FA06

引用特許：

出願人引用 (2件)

• レーザ加工方法及びレーザ加工装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-278790   出願人：浜松ホトニクス株式会社
• レーザ加工装置及びレーザ加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-136256   出願人：浜松ホトニクス株式会社