電気的プログラム可能な不揮発性半導体メモリ装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高月猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-252469
公開番号（公開出願番号）：特開平8-106789
出願日： 1995年09月29日
公開日（公表日）： 1996年04月23日
要約：

【要約】【課題】データローディング時間が短く高速プログラムが可能な不揮発性半導体メモリ装置を提供する。【解決手段】ページバッファを構成するラッチ回路28へプログラム用のデータをロードするデータローディングを実行する前に、全ラッチ回路28に対しプログラム防止用のデータをプリセットする。このプリセットはアドレス入力時に行う。プリセットのためのプリセット手段45は、トランジスタ30,31,32,44で構成される。従来ではデータローディングで1列ずつ順番にプログラム防止データ又はプログラムデータをロードしていかなければならなかったが、本発明によれば、データローディングではプログラム対象の列にのみプログラムデータをローディングするだけですむ。

請求項（抜粋）：

データ線ごとに設けたラッチ回路を備えてなるページバッファを有した電気的プログラム可能な不揮発性半導体メモリ装置のページプログラム方法において、ペーバッファの全ラッチ回路にプログラム防止用のデータをプリセットしてからプログラム対象のメモリセルについての前記ラッチ回路にプログラムデータをロードするデータローディングを実行するようにしたことを特徴とするページプログラム方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平2-201798
不揮発性半導体メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-355149 出願人：株式会社東芝
特開昭63-229698

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