特許

J-GLOBAL ID：200903077332675689

テラヘルツ光を用いた平面基板の電気特性測定方法

発明者： 深澤 亮一 ,  岩本 敏志
出願人/特許権者： 株式会社栃木ニコン ,  株式会社ニコン
代理人 (1件)： 渡辺 隆男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-161085
公開番号（公開出願番号）：特開2004-003902
出願日： 2002年06月03日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【課題】半導体基板内部の多重反射の影響を受けることなく、簡便かつ正確に半導体の電気的特性パラメータを測定する方法を提供すること。【解決手段】テラヘルツパルス光を繰り返し平面基板に照射し、平面基板からの反射光又は透過光を受光し、時間領域分光法を用いて受光された光の電場強度の時系列波形を測定し、時系列波形に基づいて求められた分光反射率又は分光透過率から平面基板の電気的特性パラメータを算出する電気特性測定方法において、平面基板の被照射面以外の面を経由して到来する光を検出しないように、前記テラヘルツパルス光の時間領域を設定する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

テラヘルツパルス光を繰り返し平面基板に照射し、該平面基板からの反射光又は透過光を受光し、時間領域分光法を用いて前記受光された光の電場強度の時系列波形を測定し、前記時系列波形に基づいて求められた分光反射率又は分光透過率から前記平面基板の電気的特性パラメータを算出する電気特性測定方法において、 前記平面基板の被照射面以外の面を経由して到来する光を検出しないように、前記テラヘルツパルス光の時間領域を設定することを特徴とする電気特性測定方法。

IPC (2件)：

G01N21/35 ,  H01L21/66

FI (3件)：

G01N21/35 Z ,  H01L21/66 C ,  H01L21/66 L

Fターム (27件)：

2G059AA03 ,  2G059AA05 ,  2G059BB10 ,  2G059BB16 ,  2G059EE01 ,  2G059EE02 ,  2G059EE12 ,  2G059FF04 ,  2G059FF09 ,  2G059GG01 ,  2G059GG08 ,  2G059HH01 ,  2G059JJ01 ,  2G059JJ15 ,  2G059JJ22 ,  2G059KK01 ,  2G059LL04 ,  2G059MM01 ,  4M106AA01 ,  4M106BA05 ,  4M106CA21 ,  4M106CB01 ,  4M106CB12 ,  4M106CB30 ,  4M106DH11 ,  4M106DH32 ,  4M106DH39

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体の電気特性評価装置および電気特性評価方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-282497   出願人：株式会社栃木ニコン, 株式会社ニコン

引用文献：

審査官引用 (1件)

• “A Reliable Method for Extraction of Material Parameters in Terahertz Time-Domain Spectroscopy”