半導体の電気特性評価装置および電気特性評価方法

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：古谷史旺
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-282497
公開番号（公開出願番号）：特開2002-098634
出願日： 2000年09月18日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
要約：

【要約】【課題】被測定物である半導体材料を汚染したりキズを付けたりしないで、その電気的物性量(キャリア密度,移動度,抵抗率,電気伝導度など)を測定・検査する電気特性評価装置および電気特性評価方法を提供すること。【解決手段】テラヘルツパルス光を半導体材料5に照射するテラヘルツパルス光源2と、半導体材料5からの透過パルス光または反射パルス光を検出する光検出手段6と、透過パルス光または反射パルス光の電場強度の時系列波形から分光透過率または分光反射率を得るテラヘルツ時間領域計測手段7,8と、分光透過率または分光反射率に基づいてその半導体材料の電気的特性パラメータを算出する演算手段9とを備える。

請求項（抜粋）：

テラヘルツパルス光を半導体材料に照射するテラヘルツパルス光源と、前記半導体材料からの透過パルス光または反射パルス光を検出する光検出手段と、前記透過パルス光または反射パルス光の電場強度の時系列波形から分光透過率または分光反射率を得るテラヘルツ時間領域計測手段と、前記分光透過率または分光反射率に基づいて前記半導体材料の電気的特性パラメータを算出する演算手段とを備えたことを特徴とする半導体の電気特性評価装置。

IPC (3件)：

G01N 21/35 , G01N 21/17 620 , H01L 21/66

FI (4件)：

G01N 21/35 Z , G01N 21/17 620 , H01L 21/66 N , H01L 21/66 M

Fターム (33件)：

2G059AA05 , 2G059BB16 , 2G059CC20 , 2G059DD13 , 2G059EE01 , 2G059EE02 , 2G059EE12 , 2G059FF02 , 2G059FF04 , 2G059GG01 , 2G059GG08 , 2G059HH02 , 2G059JJ01 , 2G059JJ11 , 2G059JJ13 , 2G059KK04 , 2G059MM01 , 2G059MM09 , 2G059MM10 , 4M106AA01 , 4M106AA10 , 4M106AA20 , 4M106BA05 , 4M106BA20 , 4M106CA10 , 4M106CB01 , 4M106CB12 , 4M106DH09 , 4M106DH12 , 4M106DH32 , 4M106DJ04 , 4M106DJ11 , 4M106DJ23

引用特許：

審査官引用 (1件)

物品の検査方法とその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-242626 出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド

引用文献：

審査官引用 (3件)

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