特許
J-GLOBAL ID：200903077353928005
半導体装置の製造方法、プログラムパターン径設定方法及びプログラムパターン径設定プログラムを記録した記録媒体
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-257076
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085538
出願日： 1999年09月10日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：
【要約】【課題】 ROMのプログラムパターン径を周囲のパターン形状に応じて修正するにあたって、工程の複雑化を最小限にとどめ、TATの悪化を防止する。【解決手段】 ROMのプログラムパターン径を周囲のパターン形状に応じて修正するにあたり、その修正量をレチクル設計における最小単位に基づいて決定する。例えば、完全に孤立した開口に対しては3単位拡大し、隣接する開口を1つ有する場合には2単位拡大し、隣接する開口を2つ有する場合には1単位拡大し、隣接する開口を3つ以上有する場合には拡大を行わない。
請求項（抜粋）：
複数のメモリセルトランジスタがマトリクス状に形成された半導体基板の主面にレジスト膜を形成する工程と、前記複数のメモリセルトランジスタのうち所定のメモリセルトランジスタに対応する部分の前記レジスト膜を除去することにより前記レジスト膜を複数の開口を有するプログラムパターンとする工程と、前記プログラムパターンをマスクとしてイオン注入する工程とを備える半導体装置の製造方法において、前記プログラムパターンの前記開口のうち、隣接する位置に所定数の開口が設けられている開口の開口径を、隣接する位置に前記所定数よりも多い開口が設けられている開口の開口径よりもレチクル設計の最小単位分拡大して形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/8246
, H01L 27/112
, G03F 1/08
, H01L 21/027
H01L 27/10 433
, G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
2H095BB02
, 5F083CR02
, 5F083JA53
, 5F083PR01
