特許
J-GLOBAL ID：200903077356900365
半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 稔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-236482
公開番号（公開出願番号）：特開平8-102550
出願日： 1994年09月30日
公開日（公表日）： 1996年04月16日
要約：
【要約】【目的】 電極パッドが陰になって発光素子の表面側から直接的に外方に向かう光量が不足するという事態を回避するとともに、従来のような反射皿等における高反射率鏡面の形成を不要もしくはその鏡面仕上げ度合いを軽減して発光デバイスの加工作業を容易化する。【構成】 サファイア基板2上に、N型半導体層3、発光層4、およびP型半導体層5から構成される積層部6を形成し、かつ上記N型半導体層3とP型半導体層5との各表面露出部にそれぞれ電極パッドを形成してなる半導体発光素子1において、P型とN型とのうちの少なくとも表面側の半導体層5に形成される上記電極パッドを、導電性を有する透明膜12で構成する。そして好ましくは、上記透明膜12が形成されている半導体層5を、透光性を有する窒化ガリウム系化合物半導体層で構成し、この半導体層5に対して上記透明膜12をオーミック接触させる。
請求項（抜粋）：
基板上に、N型半導体層、発光層、およびP型半導体層から構成される積層部を形成し、かつ上記N型半導体層とP型半導体層との各表面露出部にそれぞれ電極パッドを形成してなる半導体発光素子において、P型とN型とのうちの少なくとも表面側の半導体層に形成される上記電極パッドを、導電性を有する透明膜で構成したことを特徴とする、半導体発光素子。
引用特許：
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