特許

J-GLOBAL ID：200903077380854633

MIS半導体デバイスおよびその製造方法

発明者： 矢野 義彦 ,  野口 隆男 ,  長野 克人
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-099949
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274087
出願日： 1995年03月31日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】【目的】 C-V特性にヒステリシスがみられず良好なMIS特性を示すMIS半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。【構成】 本発明のMIS半導体デバイスは、Si単結晶基板と、このSi単結晶基板上に形成された絶縁層とを備えるMIS半導体デバイスにおいて、前記絶縁層が、ZrO2 を主成分とする単一配向エピタキシャル膜により形成されていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

Si単結晶基板と、このSi単結晶基板上に形成された絶縁層とを備えるMIS半導体デバイスにおいて、前記絶縁層が、ZrO2 を主成分とする単一配向エピタキシャル膜により形成されていることを特徴とするMIS半導体デバイス。

IPC (7件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/31 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (5件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/31 B ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 多層半導体基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-068212   出願人：株式会社ジャパンエナジー