特許

J-GLOBAL ID：200903077385672045

シリコンウエーハの再生方法及び再生ウエーハ

発明者： 内田 貴信 ,  飯島 一秀 ,  山崎 哲生 ,  外丸 信一 ,  丸山 文明
出願人/特許権者： 三益半導体工業株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-327704
公開番号（公開出願番号）：特開2005-093869
出願日： 2003年09月19日
公開日（公表日）： 2005年04月07日
要約：

【課題】シリコンウエーハ上に形成されている薄膜、例えば金属薄膜等を除去するとともに、ウエーハの内部に拡散している不純物を低減して、金属汚染の殆ど無いシリコンウエーハを安定して得ることのできるシリコンウエーハの再生方法を提供する。【解決手段】表面に薄膜が形成されているシリコンウエーハを再生する方法であって、少なくとも、前記シリコンウエーハに形成されている薄膜を除去する薄膜除去工程と、該薄膜が除去されたシリコンウエーハの少なくとも一方の面を鏡面研磨する鏡面研磨工程とを含み、前記鏡面研磨工程を行う前に、前記シリコンウエーハの少なくとも一方の面にダメージ負荷を与えるゲッタリングサイト形成処理を行ってから該シリコンウエーハに熱処理を施して、シリコンウエーハ内部の不純物を低減することを特徴とするシリコンウエーハの再生方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

表面に薄膜が形成されているシリコンウエーハを再生する方法であって、少なくとも、前記シリコンウエーハに形成されている薄膜を除去する薄膜除去工程と、該薄膜が除去されたシリコンウエーハの少なくとも一方の面を鏡面研磨する鏡面研磨工程とを含み、前記鏡面研磨工程を行う前に、前記シリコンウエーハの少なくとも一方の面にダメージ負荷を与えるゲッタリングサイト形成処理を行ってから該シリコンウエーハに熱処理を施して、シリコンウエーハ内部の不純物を低減することを特徴とするシリコンウエーハの再生方法。

IPC (3件)：

H01L21/322 ,  H01L21/02 ,  H01L21/304

FI (5件)：

H01L21/322 M ,  H01L21/02 B ,  H01L21/304 601S ,  H01L21/304 621B ,  H01L21/304 621C

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 銅膜付着シリコン単結晶ウエーハの再生方法および再生ウエーハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-355475   出願人：三益半導体工業株式会社

審査官引用 (3件)

• 特開昭51-019966
  
• 特開昭56-013737
  
• ウエハーまたは基板材料の再生方法および再生設備
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-041904   出願人：株式会社神戸製鋼所