薄膜気相成長装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：川瀬茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-247512
公開番号（公開出願番号）：特開平7-078774
出願日： 1993年09月07日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】反応性が高い原料ガスであっても、基板の直前まで混合せず、デッドスペースが発生せず、ガスの流れが層流であって、原料ガスを切り替えたときに短時間でガスが置換され、境界のはっきりした多層膜を形成できる薄膜気相成長装置を提供する。【構成】内管14と外管15の同芯の2重構造になっているノズル体8を反応容器1の上方から基板の近傍まで挿入する。基板の近傍まで内管と外管により2種類の原料ガスを輸送し、基板の近くで初めて2種類のガスを混合する。また反応容器の上方からノズル体の外周部にパ-ジガスを吹き込む。これにより容器の上方にガスの滞留する部分が発生しない。デッドスペ-スがなくなるので、多層膜を成長させる場合でも原料ガスの切り替えが円滑になる。原料ガスの切り替え時に乱流が発生しない。

請求項（抜粋）：

縦長の円筒状の反応容器1と、反応容器1の内部に設けられ基板を戴置するためのサセプタ2と、サセプタ2を加熱するためのヒータと、反応容器1の上部の開口に取り付けられ内外2重管からなり2種類の原料ガスA、Bを反応容器1に導入するためのノズル体8と、ノズル体8の内管14へ原料ガスを導入するAガス導入管と、ノズル体8の外管15へ別異の原料ガスを導入するBガス導入管と、反応容器1のノズル体8の上流側の外周部にパージガスを吹き込むパージガス導入管を含み、ノズル体8の内管14は基板5の近傍に開口し、ノズル体8の外管は下端が閉じられており下端の近傍で外管15から内管14に向けて複数の連通穴24が放射状に穿孔されており、外管15に導入された原料ガスが連通穴24を経て内管内部に向けて噴出され基板5の近くで内管14の原料ガスと混合し、パージガスは外管15と内管14とから供給される原料ガスA、Bを囲むように流れるようにしたことを特徴とする薄膜気相成長装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , H01L 21/365

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭62-151569
特開平2-046723
特開昭62-176123

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