特許

J-GLOBAL ID：200903077394269407

強誘電体キャパシタおよびその製造方法

発明者： 十代 勇治
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-018949
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213557
出願日： 1995年02月07日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】【目的】 リーク電流を大幅に低減できる高信頼性の強誘電体キャパシタを提供する。【構成】 下電極3と、この下電極3の上面に形成された強誘電体薄膜1と、この強誘電体薄膜1の上面に形成された上電極2とを備えており、強誘電体薄膜1は下電極3の周縁の内方に位置決めされ、上電極2は強誘電体薄膜1の周縁の内方に位置決めされている。

請求項（抜粋）：

下電極と、この下電極の上面に形成された強誘電体薄膜と、この強誘電体薄膜の上面に形成された上電極とを備え、前記強誘電体薄膜は前記下電極の周縁の内方に位置決めされ、前記上電極は前記強誘電体薄膜の周縁の内方に位置決めされている強誘電体キャパシタ。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01G 4/33

FI (2件)：

H01L 27/04 C ,  H01G 4/06 102

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-176367   出願人：セイコーエプソン株式会社