特許

J-GLOBAL ID：200903077395917240

蓋部を備えた半導体ウェハの製造方法及び半導体装置の製造方法

発明者： 星加 正人
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (2件)： 河野 登夫 ,  河野 英仁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-177529
公開番号（公開出願番号）：特開2006-005025
出願日： 2004年06月15日
公開日（公表日）： 2006年01月05日
要約：

【課題】 半導体装置の小型化を図り、製造の高効率化及び高歩留化を図ることができる蓋部を備えた半導体ウェハの製造方法及び半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明は、複数の半導体素子が形成された半導体ウェハに光硬化性接着剤及び熱硬化性接着剤を含む接着層を形成する接着層形成工程(S1)と、接着層を選択的に露光して、各半導体素子の周縁部上の接着層に含まれる光硬化性接着剤を硬化させて、接着層及び各半導体素子を接着する露光工程(S2)と、光硬化性接着剤を現像して、未露光領域の接着層を除去する現像工程(S4)と、接着層のパターニング形状の良否を半導体素子毎に判定する検査工程(S5)と、各半導体素子に係る接着層に蓋部を配置し、接着層を加熱して該接着層に含まれる熱硬化性接着剤に接着性を発現させて、接着層及び蓋部を接着する蓋部接着工程(S6)とを含む。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

複数の半導体素子が形成された半導体ウェハに光硬化性接着剤及び熱硬化性接着剤を含む接着層を形成する接着層形成工程と、 前記接着層を選択的に露光して、各半導体素子の周縁部上の接着層に含まれる光硬化性接着剤を硬化させて、接着層及び半導体ウェハを接着する第1接着工程と、 前記接着層を現像することにより光硬化樹脂接着剤が未硬化の領域の接着層を除去して、接着層をパターニングする現像工程と、 パターニングされた接着層の良否を半導体素子毎に判定する検査工程と、 該検査工程にて良と判定された半導体素子の接着層に蓋部を配置する蓋部配置工程と、 前記接着層を加熱して該接着層に含まれる熱硬化性接着剤に接着性を発現させて、接着層及び蓋部を接着する第2接着工程と を含むことを特徴とする蓋部を備えた半導体ウェハの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 23/02 ,  H01L 23/10 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/02

FI (4件)：

H01L23/02 F ,  H01L23/10 B ,  H01L27/14 D ,  H01L31/02 B

Fターム (15件)：

4M118AA09 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118GD04 ,  4M118HA02 ,  4M118HA11 ,  4M118HA24 ,  5F088BA15 ,  5F088BA18 ,  5F088BB03 ,  5F088EA04 ,  5F088JA12 ,  5F088JA20

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 固体撮像装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-066214   出願人：オリンパス光学工業株式会社