特許
J-GLOBAL ID：200903077407096884
半導体装置および半導体発光装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-161095
公開番号（公開出願番号）：特開平11-008414
出願日： 1997年06月18日
公開日（公表日）： 1999年01月12日
要約：
【要約】【課題】 発熱環境下や高温環境内で使用可能な耐環境性の半導体装置および封止材料の光学的な変色または着色による輝度劣化を防止することができる半導体発光装置を提供する。【解決手段】 GaN系半導体層が積層された基板のGaN系半導体層の表面または基板の裏面を配線基板などの基台上に接合する半導体発光装置や電子走行素子などの半導体装置において、接合材料として300°C以上700°C以下の融点を有する金属材料、例えばAu-In系合金を用いる。また、GaN系半導体層が積層された基板のGaN系半導体層の表面または基板の裏面を配線基板などの基台上に接合し、基板を封止材料で封止する半導体発光装置において、封止材料として350°Cより高く700°C以下の融点を有し、かつ、光透過性の無機材料、例えばガラスを用いる。
請求項（抜粋）：
素子構造を形成する窒化物系III-V族化合物半導体層が一方の主面に積層された基板の上記窒化物系III-V族化合物半導体層の表面または上記基板の他方の主面が基台上に接合された半導体装置において、接合材料として300°C以上700°C以下の融点を有する金属材料を用いたことを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 33/00
, H01L 21/52
, H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01S 3/18
H01L 33/00 N
, H01L 33/00 C
, H01L 21/52 E
, H01S 3/18
, H01L 29/80 H
, H01L 29/80 G
