特許

J-GLOBAL ID：200903077408662760

炭化けい素半導体素子の製造方法

発明者： 橋本 孝一
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-239798
公開番号（公開出願番号）：特開平8-107223
出願日： 1994年10月04日
公開日（公表日）： 1996年04月23日
要約：

【要約】【目的】炭化けい素半導体素子の製造方法において、イオン注入時に生じた結晶欠陥を充分回復させ、拡散領域を形成する。【構成】 拡散領域形成のための不純物のイオン注入後、イオン注入した表面上に、例えば窒化けい素膜などの酸素遮蔽性の膜を形成し、不活性ガス雰囲気下で1300°C以上の高温熱処理を行う。イオン注入した部分は酸化速度が速いが、酸素遮蔽性の膜によって、不活性ガス雰囲気中の微量酸素による酸化が防止されて拡散領域が形成でき、結晶欠陥も充分回復する。酸素遮蔽性の膜としては、高周波スパッタリング法、減圧CVD法、プラズマCVD法による窒化けい素膜がよい。

請求項（抜粋）：

炭化けい素半導体基板にイオン注入後、イオン注入した表面上に酸素遮蔽性の膜を形成し、高温熱処理を行うことを特徴とする炭化けい素半導体素子の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/872 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/314 ,  H01L 21/318

FI (2件)：

H01L 29/48 P ,  H01L 21/265 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 炭化けい素MOSFETの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-301439   出願人：富士電機株式会社
• 強誘電体層を有する半導体素子及びその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-320884   出願人：ローム株式会社
• 特開平3-083332
  
• 特開平2-102557