特許

J-GLOBAL ID：200903077416817004

半導体装置

発明者： 山口 憲 ,  中川 清和 ,  杉井 信之
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-216332
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044425
出願日： 1999年07月30日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】【課題】 Siバンド不連続で接合する層との組合せを用いて、低消費電力で高速な電界効果トランジスタを有する半導体装置を提供すること。【解決手段】電界効果トランジスタのチャネルが形成されるチャネル形成層4にバンド不連続半導体層5を設けることによりキャリアの基板側への侵入を防止し、これにより短チャネル効果を抑止し、且つ、キャリアの移動度を無歪のチャネル形成層の材料より大きくする。【効果】高速かつ低消費電力の相補型電界効果トランジスタを実現できる。

請求項（抜粋）：

電界効果トランジスタのチャネルが形成されるチャネル形成層の伝導帯と価電子帯とを有する第1の半導体層と、該チャネル形成層の伝導帯および価電子帯と不連続となる伝導帯および価電子帯とを有する第2の半導体層と、を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/161 ,  H01L 29/786

FI (4件)：

H01L 29/78 301 X ,  H01L 27/08 321 B ,  H01L 29/163 ,  H01L 29/78 613 A

Fターム (32件)：

5F040DA01 ,  5F040DA03 ,  5F040DA18 ,  5F040DB03 ,  5F040DC01 ,  5F040EC07 ,  5F040EE06 ,  5F040EM02 ,  5F040EM03 ,  5F040EM04 ,  5F040FC05 ,  5F040FC14 ,  5F048AA00 ,  5F048BA03 ,  5F048BA09 ,  5F048BA10 ,  5F048BB05 ,  5F048BB14 ,  5F048BD09 ,  5F110AA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB04 ,  5F110CC01 ,  5F110DD05 ,  5F110EE09 ,  5F110GG02 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110GG39 ,  5F110GG44 ,  5F110GG52 ,  5F110QQ30