特許
J-GLOBAL ID：200903077423147294

半導体発光素子搭載用パッケージ及びその製造方法

発明者：
明石 照久

明石 照久 について

, 
堀野 正也

堀野 正也 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 吉岡 宏嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-005167
公開番号（公開出願番号）：特開2006-135276
出願日： 2005年01月12日
公開日（公表日）： 2006年05月25日
要約：
【課題】 パッケージ外部に光をより有効に取出すのに好適な半導体発光素子搭載用パッケージを実現する。【解決手段】 半導体発光素子搭載用パッケージ1は、半導体発光素子が搭載される領域を有するシリコン基板10と、半導体発光素子が搭載される領域よりも大きい貫通孔12を有し、シリコン基板10に積層されたシリコン製のリフレクタ基板14と、貫通孔12の内面に形成された反射膜16とを備え、シリコン基板10は、半導体発光素子の搭載領域を包囲する溝18が表面に形成され、溝18の内面に反射膜20が形成される。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
半導体発光素子が搭載される領域を有する第一のシリコン基板と、前記半導体発光素子が搭載される領域よりも大きい開口の貫通孔を有し、前記第一のシリコン基板に積層された第二のシリコン基板と、前記貫通孔の内面に形成された反射膜とを備え、 前記第一のシリコン基板は、前記半導体発光素子の搭載領域を包囲する溝が表面に形成され、該溝の内面に反射膜が形成されてなることを特徴とする半導体発光素子搭載用パッケージ。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 N
Fターム (18件)：
5F041AA04 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041DA04 ,  5F041DA09 ,  5F041DA12 ,  5F041DA19 ,  5F041DA34 ,  5F041DA35 ,  5F041DA36 ,  5F041DA72 ,  5F041DA82 ,  5F041DB08 ,  5F041DB09 ,  5F041EE11 ,  5F041EE16 ,  5F041EE25 ,  5F041FF11
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • LED光源およびその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-191101   出願人：株式会社光波, 豊田合成株式会社, 関東化成工業株式会社

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