特許
J-GLOBAL ID：200903077433756507
半導体発光素子および表示装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-068824
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270753
出願日： 1997年03月21日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】【課題】 小型化および軽量化が可能な半導体発光素子を提供することである。【解決手段】 半導体発光素子は、サファイヤ基板1上に形成された発光ダイオード10および抵抗素子20からなる。発光ダイオード10はサファイヤ基板1上に順に形成されたn型GaN層2a、n型InGaN発光層3およびp型GaN層4からなる。p型GaN層4上には透光性電極5およびパッド電極7が形成されている。抵抗素子20はサファイア基板1上に形成されたn型GaN層2bからなる。n型GaN層2b上にはn側電極6が形成されている。
請求項（抜粋）：
基板上の一部領域に発光素子が形成されるとともに、前記基板上の他の領域に前記発光素子に供給される駆動電流を制御する電流制御用素子が形成されたことを特徴とする半導体発光素子。
引用特許：
前のページに戻る
