特許
J-GLOBAL ID：200903077473148054

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者：
岡 秀明

岡 秀明 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 森 哲也 ,  内藤 嘉昭 ,  崔 秀▲てつ▼
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-022134
公開番号（公開出願番号）：特開2007-207825
出願日： 2006年01月31日
公開日（公表日）： 2007年08月16日
要約：
【課題】結晶欠陥の発生を抑制しつつ、絶縁層上に配置された厚膜半導体層と薄膜半導体層とを同一基板上に形成する。【解決手段】絶縁層12上に配置された半導体層13の薄膜SOI形成領域R1に第1半導体層21および第2半導体層22を選択的に形成し、第2半導体層22を半導体層13上で支持する支持体27を形成してから、第1半導体層21をエッチング除去して、半導体層13と第2半導体層22との間に空洞部30を形成し、半導体層13および第2半導体層22の熱酸化を行うことにより、半導体層13と第2半導体層22との間の空洞部30に埋め込み絶縁層31を形成する。【選択図】図13
請求項（抜粋）：
半導体基板上に絶縁層を介して形成された第1半導体層と、 前記第1半導体層上の一部の領域にエピタキシャル成長にて形成された第2半導体層と、 前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に埋め込まれた埋め込み絶縁層とを備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (10件)：
H01L 21/762 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/12 ,  H01L 27/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/732
FI (12件)：
H01L21/76 D ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 621 ,  H01L21/76 L ,  H01L27/12 F ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/08 331A ,  H01L27/06 321C ,  H01L27/06 101U ,  H01L29/72 P ,  H01L27/12 L ,  H01L29/78 613Z
Fターム (100件)：
5F003AP06 ,  5F003AZ03 ,  5F003BA25 ,  5F003BA96 ,  5F003BJ15 ,  5F003BM01 ,  5F003BM02 ,  5F003BP33 ,  5F003BP94 ,  5F003BP96 ,  5F032AA03 ,  5F032AA06 ,  5F032AA07 ,  5F032AA35 ,  5F032AA45 ,  5F032AA47 ,  5F032AA77 ,  5F032AA82 ,  5F032AC02 ,  5F032BA01 ,  5F032BA06 ,  5F032BB01 ,  5F032CA17 ,  5F032CA18 ,  5F032CA24 ,  5F032CA25 ,  5F032DA02 ,  5F032DA16 ,  5F032DA28 ,  5F032DA33 ,  5F032DA53 ,  5F032DA67 ,  5F032DA78 ,  5F048AA04 ,  5F048AA05 ,  5F048AA10 ,  5F048AC01 ,  5F048AC07 ,  5F048BA09 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BA19 ,  5F048BA20 ,  5F048BB05 ,  5F048BC06 ,  5F048BD09 ,  5F048BG07 ,  5F048BG13 ,  5F048CA02 ,  5F048CA04 ,  5F048CA06 ,  5F048CA07 ,  5F048CA14 ,  5F048CA15 ,  5F082AA02 ,  5F082BA05 ,  5F082BA06 ,  5F082BA11 ,  5F082BA47 ,  5F082BC01 ,  5F082BC09 ,  5F082CA01 ,  5F082CA02 ,  5F082EA18 ,  5F082EA24 ,  5F082EA27 ,  5F110AA16 ,  5F110AA26 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD24 ,  5F110EE09 ,  5F110EE32 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110GG25 ,  5F110GG26 ,  5F110GG44 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HM15 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110NN71 ,  5F110NN78 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ17 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (1件)

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